Angular and energy dependence of ion bombardment of Mo/Si multilayers
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the role of russia in transmission of energy from central asia and caucuses to european union
پس ازفروپاشی شوروی،رشد منابع نفت و گاز، آسیای میانه و قفقاز را در یک بازی ژئوپلتیکی انرژی قرار داده است. با در نظر گرفتن این منابع هیدروکربنی، این منطقه به یک میدانجنگ و رقابت تجاری برای بازی های ژئوپلتیکی قدرت های بزرگ جهانی تبدیل شده است. روسیه منطقه را به عنوان حیات خلوت خود تلقی نموده و علاقمند به حفظ حضورش می باشد تا همانند گذشته گاز طبیعی را به وسیله خط لوله مرکزی دریافت و به عنوان یک واس...
15 صفحه اولsupply and demand security of energy in central asia and the caucasus
امنیت انرژی به معنی عرضه مداوم و پایدار همراه با قیمت های معقول در حامل های انرژی، که تهدیدات امنیتی، سیاسی، اقتصادی، محیط زیستی و روانی را کاهش دهد. امروزه نفت و گاز تنها، کالای تجاری نیست بلکه بعنوان ابزار سیاسی مورد استفاده قرار می گیرد.اختلاف میان روسیه و اکراین بر سر انرژی در ژانویه 2006، تهدیدی برای امنیت انرژی اروپا ایجاد کرد. در این تحقیق ما تلاش کردیم که نقش انرژی آسیای میانه و قفقاز ر...
15 صفحه اولAngular , energy , and population distributions of neutral atoms desorbed by keV ion beam bombardment of Ni ( 001 )
Multi-photon resonance ionization, time-of-flight mass spectrometry and imaging techniques have been employed to measure the polar-angle, kinetic energy, and population distributions of Ni atoms desorbed from 5 keV Ar ion bombarded Ni{OOl}. The measured angleand energy-resolved intensity maps of the sputtering yield provide a set of data that can be used to examine the detailed interactions bet...
متن کاملStress evolution due to medium-energy ion bombardment of silicon
The evolution of stress in silicon, induced by argon ion bombardment up to fluences of 4.5 · 10 ions/cm, is studied using molecular dynamics simulations with empirical interatomic potentials. A periodically replicated 5.43 nm cube with an exposed (001) surface models the sample of silicon. An interatomic force balance method computes stresses directly across planes in the cube. After every impa...
متن کاملfabrication of new ion sensitive field effect transistors (isfet) based on modification of junction-fet for analysis of hydronium, potassium and hydrazinium ions
a novel and ultra low cost isfet electrode and measurement system was designed for isfet application and detection of hydronium, hydrazinium and potassium ions. also, a measuring setup containing appropriate circuits, suitable analyzer (advantech board), de noise reduction elements, cooling system and pc was used for controlling the isfet electrode and various characteristic measurements. the t...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 1997
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.365992